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J-GLOBAL ID：200903084556423592

半導体記憶装置の製造方法

Inventor： 江口 公平
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996103753
Publication number (International publication number)：1997270498
Application date： Mar. 29, 1996
Publication date： Oct. 14, 1997
Summary：

【要約】【課題】NO複合膜を容量絶縁膜として用いる時に、窒化膜表面の熱酸化時に下地パターンのエッジ部で窒化膜が破れることを防止する。【解決手段】下地ポリシリコン膜2の表面を熱酸化した後、熱酸化膜6を除去することで、下地ポリシリコン膜2のパターンエッジ部を縁取りし、丸みを帯びた形状にする。しかる後、シリコン窒化膜3を形成し、その表面を熱酸化して酸化膜4を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に第1の多結晶シリコン膜を形成し、この第1の多結晶シリコン膜をキャパシタの下部電極パターンに加工する第1の工程と、前記第1の多結晶シリコン膜表面を熱酸化して前記第1の多結晶シリコン膜上に第1のシリコン酸化膜を形成する第2の工程と、前記第1のシリコン酸化膜を除去する第3の工程と、前記第1の多結晶シリコン膜上にシリコン窒化膜を形成する第4の工程と、前記シリコン窒化膜上に第2のシリコン酸化膜を形成する第5の工程と、前記第2のシリコン酸化膜上に第2の多結晶シリコン膜を形成する第6の工程とを有することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (4)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 21/28 301 A ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 B