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J-GLOBAL ID：200903084557560135

薄膜トランジスタにおける多結晶シリコン膜の製造方法

Inventor： 布施 マリオ ,  浅井 市郎 ,  広田 匡紀 ,  宮本 育昌
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 阪本 清孝 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992352325
Publication number (International publication number)：1994181222
Application date： Dec. 11, 1992
Publication date： Jun. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ガラス基板上に形成可能な600°C以下のTFT作製プロセスで、CMOSTFT回路に適したpoly-Si膜を得る。【構成】 薄膜トランジスタの半導体膜の製造方法において、ジシラン(Si2H6)とジボラン(B2H6)の混合ガスを用いた減圧CVD法によりアモルファスシリコン(a-Si)膜2を固相成長した後、レーザ照射を行なって多結晶シリコン(polyーSi)膜3を形成することにより、600°C以下のTFT作製プロセスで高移動度及びしきい値電圧の低減が図れるpolyーSi膜3とすることができる。

Claim (excerpt)：

薄膜トランジスタの半導体膜の製造方法において、ジシラン(Si2H6)とジボラン(B2H6)の混合ガスを用いた減圧CVD法によりアモルファスシリコン膜を固相成長した後、レーザ照射を行なって多結晶シリコン(polyーSi)膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタにおける多結晶シリコン膜の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268