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J-GLOBAL ID：200903084596218541

半導体装置及び液晶表示装置

Inventor： 井上 俊輔 ,  宮脇 守 ,  光地 哲伸
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 豊田 善雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992040494
Publication number (International publication number)：1993218326
Application date： Jan. 31, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 接続配線等による性能低下がなく、簡便な製造方法で安価に製造しうるダブルゲート型の半導体装置を周辺回路に使用した液晶表示装置を提供する。【構成】 多孔質Si基体上にエピタキシャル成長させて得られた単結晶Si薄膜の中間部にイオン注入によって絶縁層を形成し、該絶縁層より下の基板側単結晶Si層を第2ゲート、上側を第1ゲートとしてNMOS及びPMOSトランジスタを形成し、NMOSトランジスタ群及びPMOSトランジスタ群のそれぞれの第2ゲートを電気的に分離し且つそれぞれ電位を取って制御し、周辺駆動回路を構成すると共に、画素電極のスイッチング素子としてPMOSトランジスタを使用した液晶表示装置。

Claim (excerpt)：

NMOSトランジスタ及びPMOSトランジスタを有する半導体装置であって、上記両トランジスタの活性層が第1の単結晶半導体で形成され、該活性層とは絶縁層を介して第2の単結晶半導体層を有し、該第2の単結晶半導体層が、上記NMOSトランジスタとPMOSトランジスタ間で電気的に分離されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 27/092 ,  G02F 1/133 505 ,  G02F 1/1345 ,  G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 338