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J-GLOBAL ID：200903084604450874

プラズマエッチング装置

Inventor： 本間 孝治
Applicant, Patent owner： 株式会社ケミトロニクス
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999285272
Publication number (International publication number)：2001110779
Application date： Oct. 06, 1999
Publication date： Apr. 20, 2001
Summary：

【要約】【課題】マイクロ波の導波管とガス反応管でプラズマを発生し、活性ガスを生成する構成において、ガス反応管が削れたり、破損するのを低減する構成法を提案する。【解決手段】導波管の内部にガス反応室を設けた構造と、該ガス反応室にはエッチング用ガスの導入口、および導出口があり、該ガス反応室は導波管の管内波長の少なくとも1/4波長以上の大きさを持ち、導波管の電力をガス反応室内でプラズマエネルギーに変換し、活性ガスを上記導出口から試料表面に噴出させて試料を加工することを基本として装置を構成する。【効果】本発明のガス反応室ではプラズマが局在するのを避け、またガスの活性化効率を上げる構成により、従来より長寿命、高性能のプラズマエッチング装置を提供できる。

Claim (excerpt)：

導波管の内部にガス反応室を設けた構造と、該ガス反応室にはエッチング用ガスの導入口、および導出口があり、該ガス反応室は導波管の管内波長の少なくとも1/4波長以上の大きさを持ち、導波管の電力をガス反応室内でプラズマエネルギーに変換し、プラズマによって生成された活性ガスを上記導出口から試料表面に噴出させることを基本として構成されたプラズマエッチング装置。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (2)：

H05H 1/46 L ,  H01L 21/302 B

F-Term (8)：

5F004AA16 ,  5F004BA03 ,  5F004BB11 ,  5F004BC08 ,  5F004BD07 ,  5F004DA18 ,  5F004DA24 ,  5F004DB01