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J-GLOBAL ID：200903084620310977

光機能増幅素子及びその動作方法

Inventor：
横山 弘之

About 横山 弘之


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997003885
Publication number (International publication number)：1998197835
Application date： Jan. 13, 1997
Publication date： Jul. 31, 1998
Summary：
【要約】【課題】100GHzを越えるような高い繰り返し速度で動作する光ゲートを実現するための光機能増幅素子とその動作方法を提供する。【解決手段】半導体レーザ増幅器1の一端側に可飽和吸収領域2を設け、入力信号光パルス列21を可飽和吸収領域2側から、ゲート光パルス列22を他端側(利得領域3側)から、それぞれ半導体レーザ増幅器1に入射させる。ゲート光パルスは、利得領域3で増幅され、可飽和吸収領域2の強い吸収を飽和状態とする。これにより、入力信号光パルスは、可飽和吸収領域2を通過できるようになり、利得領域3で増幅されて半導体レーザ増幅器1から出射する。出射光を波長選択器13に導き、出力信号光パルス列23を得る。高速動作のためにPIN構造の半導体レーザ増幅器を使用し、可飽和吸収領域2の光路長を利得領域3の光路長より短くし、可飽和吸収領域2に逆バイアスを印加する。
Claim (excerpt)：
一部分に可飽和吸収領域が設けられた半導体レーザ増幅器と、前記半導体レーザ増幅器に対して入力信号光パルス列及びゲート光パルス列を結合する光結合手段と、前記半導体レーザ増幅器から出射する信号光パルス列を前記ゲート光パルス列から分離して取り出す選択手段と、を有する光機能増幅素子。
IPC (4)：
G02F 1/025 ,  G02F 3/00 ,  H01S 3/103 ,  H01S 3/18
FI (4)：
G02F 1/025 ,  G02F 3/00 ,  H01S 3/103 ,  H01S 3/18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 光識別再生器
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-217671   Applicant：日本電信電話株式会社
  • 特開平2-235033
  • 光識別再生器
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-225025   Applicant：日本電信電話株式会社

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