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J-GLOBAL ID：200903084623888465

半導体装置の製造方法

Inventor： 長嶺 征直
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992279963
Publication number (International publication number)：1994132278
Application date： Oct. 19, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の製造工程における、液体ソースを気化した原料ガスを用いるプラズマ化学気相成長法による燐シリケートガラス膜の成長方法の改良に関し、プラズマTEOS-PSG膜の成膜処理後に処理物を装置の処理室から空気中に取り出した場合に、燐玉が発生しないようにすることが可能となる半導体装置の製造方法の提供を目的とする。【構成】 半導体装置の製造工程における、液体ソースを気化した原料ガスを用いるプラズマ化学気相成長法による燐シリケートガラス膜の成長方法において、テトラ・エトキシ・シランガスと、無機燐を含む不純物ガスと、窒素酸化物ガスの混合ガスを原料ガスとして用いるように構成する。

Claim (excerpt)：

半導体装置の製造工程における、液体ソースを気化した原料ガスを用いるプラズマ化学気相成長法による燐シリケートガラス膜の成長方法において、テトラ・エトキシ・シランガスと、無機燐を含む不純物ガスと、窒素酸化物ガスの混合ガスを原料ガスとして用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31