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J-GLOBAL ID：200903084636049063

単結晶製造装置

Inventor： 清水 英一
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (1)： 荒船 博司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995196646
Publication number (International publication number)：1997048692
Application date： Aug. 01, 1995
Publication date： Feb. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】 炉内の熱バランス等を乱さずに、高蒸気圧成分の付着によって覗き窓が曇るのを防ぐことができるように改良された単結晶製造装置を提供する。【解決手段】 覗き窓3には、透視用の石英ロッド30を囲む保護カバー31が設けられている。保護カバー31は、石英ロッド30の炉内側の端面30aを除いて、炉内2に突出している部分の側面30bを囲むカバー本体31aと、該カバー本体31aの上端の縁に設けられたフランジ部31bとからなる。フランジ部31bは、高圧容器2内の水冷リフレクター部4のリフレクター40に接合され一体化されており、それによってカバー本体31aは冷却されている。結晶育成中にそのカバー本体31aに高圧容器2内のガス成分が接触すると、該ガス成分は冷却されて固化し、カバー本体31aに付着する。それによって、石英ロッドの炉内側の端面30aにガス成分が固化して付着するのが防止され、該端面30aが曇らないようになっている。

Claim (excerpt)：

加熱炉内を観察するための覗き窓を有する結晶成長装置において、前記覗き窓は、炉内に突出する透明な棒体と、該棒体の炉内突出部分の側面を囲みかつ同棒体の炉内側の端面よりも突出する筒体とを備え、該筒体は、前記加熱炉内の冷却による低温部分に接触していることを特徴とする単結晶製造装置。

IPC (4)：

C30B 27/02 ,  C30B 15/26 ,  C30B 29/40 501 ,  F27D 21/02

FI (4)：

C30B 27/02 ,  C30B 15/26 ,  C30B 29/40 501 A ,  F27D 21/02