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J-GLOBAL ID：200903084650039208

半導体素子の製造方法

Inventor： 上田 禎亮
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997233627
Publication number (International publication number)：1999074167
Application date： Aug. 29, 1997
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】 スクライブ・ブレイク方式の半導体素子の製造方法は、ダイシング切り残し部は薄いほうが好ましいが、この場合、ウエハテストやウエハ取り扱い中にウエハ割れが起こりやすかった。一方、ダイシングの切り残し量が大きいと、チップの分割性が悪くなり、分割の残りが発生しする。また、分割過程で押圧力を大きくするとウエハの分割形状が悪化し、歩留まりが悪くなる怖れがあった。【解決手段】 複数の半導体素子が形成された半導体ウエハを導電性の有する接合材を介して支持部材に貼り合わせる工程と、該半導体ウエハ表面にダイシング溝を形成する工程と、該半導体ウエハの複数の半導体素子をウエハテストする工程と、該半導体ウエハの裏面にスクライブラインを形成し押圧して半導体ウエハをチップに分離する工程と、を含むことを特徴とするものである。

Claim (excerpt)：

複数の半導体素子が形成された半導体ウエハを導電性の有する接合材を介して支持部材に貼り合わせる工程と、該半導体ウエハ表面にダイシング溝を形成する工程と、該半導体ウエハの複数の半導体素子をウエハテストする工程と、該半導体ウエハの裏面にスクライブラインを形成し押圧して半導体ウエハをチップに分離する工程と、を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/301 ,  H01L 33/00

FI (4)：

H01L 21/02 C ,  H01L 21/66 Z ,  H01L 33/00 N ,  H01L 21/78 L