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J-GLOBAL ID：200903084651878840

半導体装置

Inventor： 佐藤 浩哉 ,  宮宇地 真人 ,  山村 圭司
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993137221
Publication number (International publication number)：1994349846
Application date： Jun. 08, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 接合部の発熱を効率良く逃がすことのできる半導体装置。【構成】 縦型構造のトランジスタ素子真性動作部の直上及び層間絶縁膜11及び上層配線4にまたがるようにエミッタ電極3と接続してバンプ電極1を設けた構造にする。バンプ電極1は、断面構造として凹形状であり、上面からの構造はH型形状である。この構造のデバイスをフリップチップ実装して半導体装置を形成する。【効果】 放熱を効率よく行い、熱抵抗を大幅に低減し、引き出し電極のインダクタンスを低減することができ、マイクロ波帯の電力増幅用として用いることができる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたフィンガー状の縦型構造トランジスタの真性動作部と略直交し、上記縦型構造トランジスタの非真性動作部までバンプ電極を配設したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/321 ,  H01L 29/205

FI (2)：

H01L 29/72 ,  H01L 21/92 C