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J-GLOBAL ID：200903084663211832

活性酸素発生装置

Inventor： 城 昌利 ,  伊原 英雄 ,  寺田 教男 ,  金 京植
Applicant, Patent owner： 工業技術院長 ,  日電アネルバ株式会社
Agent (2)： 田宮 寛祉 (外1名) ,  田宮 寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991026245
Publication number (International publication number)：1993006751
Application date： Feb. 20, 1991
Publication date： Jan. 14, 1993
Summary：

【要約】〔目的〕 従来装置に比較して少ない酸素流量で、密度の高い活性酸素原子を発生させ、原子層レベルの制御を行って薄膜を作製することを可能にする。〔構成〕 同軸ケーブルおよびマイクロ波アンテナを利用して、放電室内で有磁場マイクロ波放電を起こし、活性酸素原子を発生し、この活性酸素原子を、移送部材を通して主真空室の任意の場所に移送する。マイクロ波導入端子と放電室内壁の空間に放電抑制材を配置し、放電を抑える。活性酸素発生装置におけるプラズマと接触する部分には失活防止部材を取付け、活性酸素の失活を抑制する。

Claim (excerpt)：

内部が真空であり、この真空の中でプラズマを発生させる放電室と、外部より前記放電室に導入されたマイクロ波を放電室内部の気体に供給するマイクロ波放射部材と、前記放電室で発生した活性酸素を反応場所へ移送する移送部材を備えてなることを特徴とする活性酸素発生装置。

IPC (5)：

H01J 37/08 ,  C01B 13/02 ,  H01J 27/16 ,  C23C 14/08 ZAA ,  C23C 16/50 ZAA

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-174950
  
• 特開昭60-243955
  
• 特開昭64-023538