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J-GLOBAL ID:200903084666159980

金属ホイルと半導体材料間のオーミックコンタクトの 製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 浅村 皓 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992251524
Publication number (International publication number):1993243593
Application date: Sep. 07, 1982
Publication date: Sep. 21, 1993
Summary:
【要約】【目的】 電気的な性能を劣化させることなく、十分な機械的強度を保証し得る半導体材料と金属ホイルとの間にオーミックコンタクトを製造する。【構成】 第1の凸面と第2の面との間において、金属材料と半導体材料とを制御された期間と圧力及び400°C以下の温度により圧着し、両者の間にオーミックコンタクトを形成する。
Claim (excerpt):
a.第1の凸型表面と第2の表面を形成し、上記表面のうち一方に半導体特性を持たせる工程とb.上記第1の凸型表面と第2の表面の間において、制御された期間と圧力をもって、かつ400°Cより低い温度下で金属ホイルを圧縮する工程とを有する、所定の抵抗値を持ち半導体材料に対し、オーミックコンタクトを形成する方法。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 特開昭58-054684
  • 特開昭61-124179

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