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J-GLOBAL ID：200903084678900618

イオン注入装置

Inventor：
熊崎 裕教

About 熊崎 裕教


Applicant, Patent owner：
日新電機株式会社

About 日新電機株式会社


Agent (1)： 原 謙三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993315281
Publication number (International publication number)：1995169431
Application date： Dec. 15, 1993
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：
【要約】【構成】 ビーム走査領域内に設置されたドーズファラデ11およびビームファラデ12と、上記両ファラデ11・12にそれぞれ流入するビーム電流を個々に計測するビーム電流計測回路13と、上記両ファラデ11・12にそれぞれ流入するビーム電流の計測値の比率の変化から、ビームドリフトの有無を検出する注入コントローラ24とを備えている。【効果】 注入処理中、連続して、ドーズファラデ11とビームファラデ12との両ファラデーカップに流入するビーム量を独立に計測し、それらの計測値の比率をチェックすることにより、従来検出不可能であったビームドリフトが検出可能となり、ビームドリフトに起因する注入再現性の悪化を未然に防止できる。
Claim (excerpt)：
イオンビームを走査させるビーム走査手段を備え、イオンビームを走査させながらビーム照射対象物にビームを照射してイオン注入処理を行うイオン注入装置において、ビーム走査領域内に設置された複数のビーム計測部と、上記複数のビーム計測部にそれぞれ流入するビーム電流を個々に計測するビーム電流計測手段と、上記複数のビーム計測部にそれぞれ流入するビーム電流の計測値の比率を求め、注入処理中の上記の比率の変化から、ビームドリフト発生の有無を検出するビームドリフト検出手段とを備えていることを特徴とするイオン注入装置。
IPC (4)：
H01J 37/317 ,  C23C 14/48 ,  H01J 37/04 ,  H01L 21/265
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)

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