Pat
J-GLOBAL ID:200903084684323371
太陽電池セルおよびその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (6):
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002359676
Publication number (International publication number):2004193350
Application date: Dec. 11, 2002
Publication date: Jul. 08, 2004
Summary:
【課題】量産型の民生用太陽電池の製造に適した低コストでかつ変換効率の高い太陽電池セルおよびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明にかかる太陽電池セルは、少なくとも受光面にパターン化されたパッシベーション膜が形成され、パッシベーション膜3のある部分とない部分(パッシベーション膜欠落部分)とで拡散によるドーピング濃度に差があることを特徴とする。具体的には、パッシベーション膜3がある部分には低濃度ドーピング層6が形成され、パッシベーション膜欠落部分には高濃度ドーピング層7が形成されている。パッシベーション膜としては、酸化シリコン膜、アモルファスシリコン膜または窒化シリコン膜が形成されることが好ましい。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
受光面にパターン化されたパッシベーション膜が形成され、パッシベーション膜のある部分とない部分で不純物拡散によるドーピング濃度に差があることを特徴とする太陽電池セル。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (18):
5F051AA02
, 5F051AA03
, 5F051CB03
, 5F051CB11
, 5F051CB13
, 5F051CB20
, 5F051CB21
, 5F051CB27
, 5F051DA03
, 5F051DA20
, 5F051EA18
, 5F051FA13
, 5F051FA15
, 5F051FA17
, 5F051FA25
, 5F051GA04
, 5F051GA15
, 5F051HA03
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