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J-GLOBAL ID:200903084685039197

プラズマ処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 石島 茂男 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997058516
Publication number (International publication number):1998237657
Application date: Feb. 26, 1997
Publication date: Sep. 08, 1998
Summary:
【要約】【課題】 放電防止板の汚染や腐食がないプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】反応槽10内に配置されたサセプタ2上に処理対象物70を配置し、反応槽10内を真空排気して処理ガスを導入し、プラズマ処理を行う際、サセプタに電圧を印加するプラズマ処理装置1について、サセプタ2周囲の放電防止板31、32とサセプタ2との間の隙間6、7内にパージガスを流す。反応生成物が隙間6、7内に侵入しないので、隙間6、7内が汚染されたり腐食したりしない。放電防止板31、32はサセプタ本体と共に上下移動できるように構成するとよい。また、パージガスは反応槽10内に放出されるようにすれば、排気系統の配管が不要になる。
Claim (excerpt):
反応槽と、前記反応槽内に配置されたサセプタとを有し、前記サセプタ上に処理対象物を配置し、前記反応槽内を真空排気して処理ガスを導入し、前記処理対象物上にプラズマを発生させてプラズマ処理を行う際、前記サセプタに電圧を印加できるように構成されたプラズマ処理装置であって、前記サセプタは、サセプタ本体に電気的に絶縁した状態で近接配置された放電防止板を有し、前記サセプタ本体と前記放電防止板の間に形成される隙間内にガスを流せるように構成されたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6):
C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (6):
C23C 16/44 H ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 B

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