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J-GLOBAL ID：200903084686254849

半導体装置の配線形成方法

Inventor： ヤング-クウォン ジュン
Applicant, Patent owner： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
Agent (1)： 中村 純之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995231356
Publication number (International publication number)：1996204013
Application date： Sep. 08, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：

【要約】【課題】全厚さを変えることなく導電層を平坦化して、微細パターンニングにおいても抵抗特性と信頼性とが良好で、整合性と再現性とに優れた半導体装置の配線形成方法を提供する。【解決手段】基板1上に第1導電性膜8を形成する工程と、第1導電性膜8より低融点の第2導電性膜12を第1導電性膜8上に形成する工程と、第2導電性膜12のみを流動化する工程からなる。第1導電性膜8は化学気相蒸着法で形成し、第2導電性膜12は第1導電性膜8の表面に不純物イオンを注入するか、化学気相蒸着またはスパッタリングで形成する。第1導電性膜8はAlあるいはAl合金で形成し、不純物としてはSi、Cu、Ga、Ge、Pd、Sn、V等を用い、第2導電性膜12は第1導電性膜8より多くの不純物を含み、不純物濃度は、第2導電性膜12の融点が第1導電性膜8の融点より約10°C以上低くなるように設定する。

Claim (excerpt)：

半導体装置の配線形成方法において、基板上に第1導電性膜を形成する工程と、上記第1導電性膜より低融点の第2導電性膜を上記第1導電性膜上に形成する工程と、上記第2導電性膜のみを流動化する工程と、を含んでなることを特徴とする半導体装置の配線形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/3205

FI (4)：

H01L 21/90 D ,  H01L 21/265 W ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/88 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-215131
  
• 特開昭63-169043
  
• 特開平4-062844
  
• 特開平4-017357