Pat

J-GLOBAL ID：200903084690866069

パーティクル測定装置およびパーティクル検査方法

Inventor： 萩原 健至
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994132970
Publication number (International publication number)：1996005569
Application date： Jun. 15, 1994
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 単一波長レーザー光では検知できなかったパーティクルの測定を可能にするパーティクル測定装置を提供する。【構成】 ウェハ13を水平に置く。そのウェハ13にP偏光するHe-Neレーザー光が垂直に照射するようにレーザー光源11を設置する。また、S偏光するHe-Neレーザー光が垂直に照射するようにレーザー光源12を設置した。これらのレーザー光がウェハ13上の同一領域に照射するように配置した。ウェハに照射したレーザー光の反射光を受けるように偏光ビームスプリッタ14を置いた。この偏光ビームスプリッタで分離したP偏光成分を受けるように受光部15を設置した。また、この偏光ビームスプリッタで分離したS偏光成分を受けるように受光部16を設置した。受光部15,16で受けた成分を電気信号に変換し、計算処理するようにコンピュータ17を設置した。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板に垂直入射するように置かれたP偏光したレーザー光を発振する光源と、前記半導体基板に垂直入射するように置かれたS偏光したレーザー光を発振する光源と、前記半導体基板で反射した光をP偏向成分とS偏向成分とに分離するビームスプリッターと、分離した前記P偏向成分を受光する第1の受光部と、分離した前記S偏向成分を受光する第2の受光部と、前記第1、第2の受光部からの信号を処理するコンピュータとを備えたパーティクル測定装置。

IPC (2)：

G01N 21/88 ,  H01L 21/66