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J-GLOBAL ID：200903084691104804

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法

Inventor： 岡崎 伸夫 ,  真部 勝英 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999136251
Publication number (International publication number)：1999346035
Application date： Dec. 26, 1990
Publication date： Dec. 14, 1999
Summary：

【要約】【課題】短波長である青色、紫色領域或いは紫外光領域における発光素子を得ること。【解決手段】サファイア基板1の上に、AlN 層2、Siドープn型GaAlN 層3(n層)、GaN 層4(活性層)、MgドープGaAlN 層5(p層)を形成する。ドープGaAlN 層5(p層)上にSiO2層7を堆積した後、縦1mm、横50μmの短冊状に窓7Aを開け、ドープGaAlN 層5(p層)の窓8の部分と、Siドープn型GaAlN 層3(n層)に、それぞれ、金属電極が形成する。

Claim (excerpt)：

ドナー不純物を添加してn型導電性を示す窒化ガリウム系化合物半導体((Alx1Ga1-x1)y1In1-y1N:0≦x1≦1,0≦y1≦1)から成るn層を結晶成長させ、窒化ガリウム系化合物半導体((Alx2Ga1-x2)y2In1-y2N:0≦x2≦1,0≦y2≦1)から成る活性層を結晶成長させ、アクセプタ不純物を添加してp型導電性を示す窒化ガリウム系化合物半導体((Alx33a1-x3)y3In1-y3N:0≦x3≦1,0≦y3≦1)から成るp層を結晶成長させることから成る窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。

IPC (2)：

H01S 3/18 673 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 673 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-242985
  
• 特開昭5-228776
  
• 特開昭64-021991
  
• 特開昭55-096693