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J-GLOBAL ID：200903084700858400
電界放出型電子放出源素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
川口 義雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991347202
Publication number (International publication number)：1993182581
Application date： Dec. 27, 1991
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 特性のばらつきが小さく、動作電圧が小さい電界放出型電子放出源素子を提供する。【構成】 シリコン基板10上には二酸化シリコンから成る第1の絶縁層11、タングステンで形成された第1の電界印加用電極層12、二酸化シリコンから成る第2の絶縁層13、タングステンで形成された電子放出用電極層14、二酸化シリコンから成る第3の絶縁層15、タングステンで形成された第2の電界印加用電極層16、及び絶縁部17が積層されており、これらを貫通する溝が2つの積層部を隔てている。また、絶縁部17は、第1の絶縁層11、第1の電界印加用電極層12、第2の絶縁層13、電子放出用電極層14、第3の絶縁層15及び第2の電界印加用電極層16から成る部分を溝18に面する部分を除いて覆うように形成されている。
Claim (excerpt)：
基板と、該基板上に積層された第1の絶縁層と、該第1の絶縁層の上に積層された第1の電極層と、該第1の電極層の上に積層された第2の絶縁層と、該第2の絶縁層の上に積層された第2の電極層と、前記第1の絶縁層と前記第1の電極層と前記第2の絶縁層と前記第2の電極層とを貫通しており、電子放出空間としての溝とを備えたことを特徴とする電界放出型電子放出源素子。
Patent cited by the Patent：
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