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J-GLOBAL ID：200903084701151911

ドライエッチング方法及びドライエッチング装置

Inventor：
渡嘉敷 健

About 渡嘉敷 健


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 堀 城之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998324404
Publication number (International publication number)：2000138207
Application date： Oct. 30, 1998
Publication date： May. 16, 2000
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 積層メタル配線、スルーホールまたはコンタクトホールを有する半導体装置の製造方法において、電子シェーディングダメージが引き起こすゲート酸化膜の劣化を低減させ、高い信頼性及び生産性のもとで且つ容易に製造することができる方法及び装置を提供する。【解決手段】 積層メタル配線のエッチング、またはスルーホールもしくはコンタクトホール等の孔構造を所望のアスペクト比でドライエッチングする際に、プラズマ密度Neをおおよそ1011cm-3以下に制御した状態でエッチングすることを特徴する。
Claim (excerpt)：
導電性膜と絶縁性膜が積層された積層膜をプラズマを用いてドライエッチングするドライエッチング方法であって、ドライエッチングを行うプラズマの密度を所定密度以下に制御した状態でエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (3)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
FI (3)：
H01L 21/302 J ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 A
F-Term (33)：
4K057DA02 ,  4K057DB00 ,  4K057DB01 ,  4K057DB05 ,  4K057DD03 ,  4K057DD08 ,  4K057DE01 ,  4K057DE04 ,  4K057DE06 ,  4K057DG08 ,  4K057DG13 ,  4K057DJ02 ,  4K057DJ03 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA06 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BD02 ,  5F004CA02 ,  5F004CA06 ,  5F004CB02 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA16 ,  5F004DB00 ,  5F004DB09 ,  5F004DB16 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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