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J-GLOBAL ID：200903084706622920

半導体検査装置および半導体検査方法

Inventor： 松本 安佐子 ,  平瀬 潤一 ,  松本 政彦
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 森本 義弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999326206
Publication number (International publication number)：2001141793
Application date： Nov. 17, 1999
Publication date： May. 25, 2001
Summary：

【要約】【課題】 半導体デバイスにおける通常動作と電磁環境両立性を保証して、半導体デバイスの品質向上を図ることができるとともに、電磁環境両立性評価用の専用ボードおよび装置を各半導体デバイスごとに作成する必要がなく、開発工数を削減して結果的に半導体デバイスのコストを低下させることができる半導体検査装置および半導体検査方法を提供する。【解決手段】 通常動作保証用の検査のための構成および方法と電磁妨害性保証用の検査のための電磁妨害性測定装置12および電磁妨害性測定方法とを有することにより、半導体デバイス1に対する通常動作と電磁妨害性の検査を、汎用検査装置での測定により出荷検査時に同一工程で行うことを可能とする。

Claim (excerpt)：

半導体デバイスに対してその出荷時に各種動作条件による通常動作を検査するための半導体検査装置であって、前記半導体デバイスに対する外部電磁波を遮断する電磁波シールドと、前記電磁波シールドによる外部電磁波の遮断状態下での前記半導体デバイスからの放射電磁波を受信するプローブと、前記プローブで受信した前記放射電磁波を測定して解析する測定解析部と、前記測定解析部による解析結果から前記半導体デバイスの放射電磁波による電磁妨害性を判定する判定部と、前記判定部による判定に基づいて前記電磁妨害性における不良の検出処理を行う不良検出処理部とを備え、前記半導体デバイスの出荷時にその通常動作とともに前記電磁妨害性についても検査するよう構成した半導体検査装置。

IPC (3)：

G01R 31/30 ,  G01R 31/00 ,  G01R 29/08

FI (3)：

G01R 31/30 ,  G01R 31/00 ,  G01R 29/08 D

F-Term (11)：

2G032AA01 ,  2G032AB01 ,  2G032AB07 ,  2G032AC03 ,  2G032AE06 ,  2G032AG09 ,  2G032AL00 ,  2G036AA10 ,  2G036AA19 ,  2G036BB12 ,  2G036CA10