Pat
J-GLOBAL ID：200903084715211674
マグネトロンプラズマエッチング用磁場発生装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
森崎 俊明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993351141
Publication number (International publication number)：1995201493
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：
【要約】【目的】 マグネトロンエッチング装置に組み込むに際して、エッチング室を大型化したり、試料台の移動距離を長くしたりせずに、所望の水平磁場均一性を得ることができる、ダイポールリング磁石より成るマグネトロンプラズマエッチング用磁場発生装置を提供すること。【構成】 複数の異方性セグメント柱状磁石をリング状に配置したダイポールリング磁石より成るマグネトロンプラズマエッチング用磁場発生装置において、上記複数の異方性セグメント柱状磁石の一部分である、複数個の異方性セグメント柱状磁石の側面の全部あるいは一部分に、磁化の方向が上記異方性セグメント柱状磁石の軸方向である、異方性セグメント磁石を設ける。
Claim (excerpt)：
複数の異方性セグメント柱状磁石をリング状に配置したダイポールリング磁石より成るマグネトロンプラズマエッチング用磁場発生装置において、上記複数の異方性セグメント柱状磁石の一部分である、複数個の異方性セグメント柱状磁石の側面の全部あるいは一部分に、磁化の方向が上記異方性セグメント柱状磁石の軸方向である、異方性セグメント磁石を設けた、ことを特徴とするマグネトロンプラズマエッチング用磁場発生装置。
IPC (3)：
H05H 1/46
, C23F 4/00
, H01L 21/3065
