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J-GLOBAL ID：200903084723579320

半導体発光装置

Inventor： 山 本 雅 裕 ,  布 上 真 也 ,  藤 本 英 俊
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998229031
Publication number (International publication number)：2000058911
Application date： Aug. 13, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】 p型のIII族窒化物に対して低抵抗のコンタクトを形成することができる透明導電膜を用いることにより、オーミックコンタクトを確保し低動作電圧の半導体発光装置を提供することを目的とする。【解決手段】 p型のIII族窒化物に対して、インジウム(In)を主とする一種以上の金属元素と、少なくとも一種のハロゲン元素と、酸素(O)と、を構成元素とする透明導電膜、または、インジウム(In)とすず(Sn)と酸素(O)とを含み、さらに、チタン(Ti)、イリジウム(Ir)、イットリウム(Y)、クロム(Cr)、亜鉛(Zn)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、コバルト(Co)、ビスマス(Bi)、及びマンガン(Mn)からなる群より選択された少なくとも一種類の添加元素を含有する透明導電膜を接触させる。

Claim (excerpt)：

p型のIII族窒化物層と、n型のIII族窒化物層と、前記p型のIII族窒化物層に接触して設けられ、インジウム(In)を主とする一種以上の金属元素と、少なくとも一種のハロゲン元素と、酸素(O)と、を構成元素とする透明導電膜と、を備えたことを特徴とする半導体発光装置。

F-Term (9)：

5F041AA21 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88