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J-GLOBAL ID：200903084725512702

半導体封止用低圧トランスファ成形材料

Inventor： 山縣 誠 ,  矢野 博之 ,  真名子 裕俊
Applicant, Patent owner： 新日鐵化学株式会社
Agent (1)： 佐野 英一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993016737
Publication number (International publication number)：1994200125
Application date： Jan. 06, 1993
Publication date： Jul. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】 低吸湿性で、はんだ耐熱性の良好な、成形性に優れた半導体封止用低圧トランスファ成形材料を提供することにある。【構成】 (a)エポキシ樹脂、(b)硬化剤、(c)硬化促進剤、(d)充填剤を必須成分とし、(d)充填剤中の主成分が溶融シリカで、全組成物中の充填剤量が88wt%以上であり、かつ、175°Cにおける最低溶融粘度が500ポイズ以下である半導体封止用低圧トランスファ成形材料あって、特に溶融シリカとして球状シリカを用い、それぞれ異なる粒度分布を有する大きい平均粒径を有する球状シリカと小さい粒径を有する球状シリカを用いる。

Claim (excerpt)：

(a)エポキシ樹脂、(b)硬化剤、(c)硬化促進剤、(d)充填剤を必須成分とし、(d)充填剤中の主成分が溶融シリカで、全組成物中の充填剤量が88重量以上であり、かつ、175°Cにおける最低溶融粘度が500ポイズ以下であることを特徴とする半導体封止用低圧トランスファ成形材料。

IPC (6)：

C08L 63/00 NKX ,  C08G 59/18 NLD ,  C08K 3/36 ,  C08K 7/18 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31