Pat

J-GLOBAL ID：200903084728964272

炭化珪素薄膜の製造方法

Inventor： 北畠 真 ,  平尾 孝
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992312437
Publication number (International publication number)：1994157190
Application date： Nov. 20, 1992
Publication date： Jun. 03, 1994
Summary：

【要約】【目的】 単結晶珪素を真空槽中に保持し、単結晶珪素表面に少なくとも炭素を含む粒子を供給し、紫外領域の波長を有する光を照射しつつ単結晶基板を600°C以上に加熱することにより、珪素基板上に急峻な低欠陥ヘテロ界面を有する単結晶炭化珪素薄膜を得る。【構成】 単結晶珪素(Si)基板1を真空容器2内に設置された加熱機構3上に設置し、エレクトロンビーム蒸発源4に炭素5を置き、電子ビームにより炭素を含む粒子6を蒸発させ、Si基板1表面に前記炭素を含む粒子6を供給する。この時加熱機構3によりSi基板1は600°C以上に加熱されており、光源7から光学窓8を通して紫外領域の波長を有する光9がSi基板1表面に照射される。

Claim (excerpt)：

炭化珪素の単結晶薄膜の製造方法であって、単結晶珪素を真空槽中に保持し、前記単結晶珪素表面に少なくとも炭素を含む粒子を供給し、紫外領域の波長を有する光を照射しつつ上記単結晶基板を600°C以上に加熱することを特徴とする炭化珪素薄膜の製造方法。

IPC (4)：

C30B 23/02 ,  C23C 14/06 ,  C30B 25/02 ,  C30B 29/36