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J-GLOBAL ID：200903084732274191
薄膜磁性体とその製法およびそれを用いたマイクロ磁気デバイス
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993290870
Publication number (International publication number)：1994283332
Application date： Nov. 19, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：
【要約】【目的】マイクロ磁気デバイスの製造工程での温度履歴や機械加工に対して磁気特性が安定した薄膜磁性体を作製すると共に、軟磁気特性を維持し、所期の特性を長期間にわたって維持することができる磁性薄膜積層基板を提供する。【構成】Co、Fe、Niのうちから選択される少なくとも1種の磁性原子からなる第1成分と、Nb、Ta、Vのうちから選択される少なくとも1種の非磁性原子からなる第2成分と非磁性のZr原子の第3成分を含む薄膜磁性体であって、第1成分の磁性原子は非晶質領域を形成し、第2成分の原子と、第3成分の原子は、マイクロクラスタ領域を形成し、このマイクロクラスタ領域が第1成分原子からなる非晶質領域中に散在する形態に構成する。【効果】温度および機械加工の応力に対して磁気的安定性の高い薄膜磁性体が作製でき、磁気回路素子設計の自由度が向上し、集積度が高く複雑な形状の各種マイクロ磁気デバイスの実現が可能である。
Claim (excerpt)：
所定の基板上に薄膜磁性体を有し、該薄膜磁性体は、Co、FeおよびNiのうちから選択される少なくとも1種の磁性原子からなる第1成分と、Nb、TaおよびVのうちから選択される少なくとも1種の非磁性原子からなる第2成分および非磁性のZr原子を第3成分として含有し、上記第1成分の磁性原子は、主として非晶質領域を形成し、上記第2成分および第3成分のZr原子は、主としてマイクロクラスタ領域を形成し、該マイクロクラスタ領域が上記非晶質領域中に散在する形態に構成してなることを特徴とする薄膜磁性体。
IPC (7)：
H01F 10/16
, C23C 14/14
, C23C 16/06
, G11B 5/127
, G11B 5/23
, G11B 5/31
, H01F 41/18
Cited by examiner (6)
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