Pat

J-GLOBAL ID：200903084745074434

半導体製造装置

Inventor： 寺崎 正
Applicant, Patent owner： 国際電気株式会社
Agent (1)： 守山 辰雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995263480
Publication number (International publication number)：1997082781
Application date： Sep. 18, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 搬送室内壁・反応室との隔壁への反応副生成物の付着を防止する。反応室の高温化を容易にする。処理対象基板上のパーティクル数を低減する。【解決手段】 搬送室11の周囲に反応室、冷却室、カセット室を配設する。各室12〜17を隔壁のゲートバルブ20で搬送室11に連通可能とする。搬送室11内には搬送用ロボット21を設置する。石英製筺体からなる反応室12の外面はヒータ22で被覆する。また、搬送室11の天井に抵抗加熱型ヒータ24を組み込む。ヒータ24はコイル状抵抗発熱体等で構成する。反応室12の室温に基づき搬送室11内の温度を調節する。ヒータ24で加熱し、両室温が略等しくなるとゲートバルブ20を開けて両室11,12を連通させ、ロボット21でウェーハを移す。搬送室11内に侵入した反応ガス成分も昇華せず、搬送室11内壁に付着することもない。

Claim (excerpt)：

加熱機構を備えた反応室と、この反応室に連通して接続され、内部に搬送ロボットを収容した搬送室と、を備えた半導体製造装置において、上記搬送室を加熱する加熱手段を備えたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (4)：

H01L 21/68 ,  B01J 19/00 301 ,  B25J 21/00 ,  H01L 21/02

FI (4)：

H01L 21/68 A ,  B01J 19/00 301 Z ,  B25J 21/00 ,  H01L 21/02 Z