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J-GLOBAL ID：200903084752939408

受発光素子及びその製造方法

Inventor： 荻原 光彦 ,  中村 幸夫 ,  清水 孝篤 ,  谷中 真澄 ,  石丸 真人
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994177043
Publication number (International publication number)：1996046236
Application date： Jul. 28, 1994
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】 受光機能及び発光機能を双方ともに実用上満足できる機能とすることのできる受発光素子を提供する。【構成】 n-GaAsP 基板10に、Zn拡散により、浅いpn接合領域12及び深いpn接合領域14を形成する。これら領域12及び14はサイド拡散領域202 を介し連接する。浅いZn拡散領域12を均一な拡散深さXj12 で面状に広がる領域とし、この拡散深さXj12 を0.3 〜2μmとする。また深いZn拡散領域14を均一な拡散深さXj14で面状に広がる領域とし、この拡散深さXj14 を4〜7μmとする。そしてp側電極16を、浅いpn接合領域12とは接触させずに、深いpn接合領域14と接触させて、p側電極16と深いpn接合領域14とをオーミック接合する。

Claim (excerpt)：

第一導電型化合物半導体基板に設けた受光機能を担う浅いpn接合領域及び発光機能を担う深いpn接合領域と、第二導電型側電極及び第一導電型側電極とを備えて成る受発光素子において、浅いpn接合領域及び深いpn接合領域を、面状に延在する領域と成して並列配置すると共に、該浅いpn接合領域及び深いpn接合領域の隣接側部を互いに連接し、第二導電型側電極を、浅いpn接合領域とは接触させずに、深いpn接合領域とオーミック接合させて成ることを特徴とする受発光素子。

IPC (3)：

H01L 31/12 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00