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J-GLOBAL ID：200903084753744953

半導体装置

Inventor： 理崎 智光
Applicant, Patent owner： セイコーインスツルメンツ株式会社
Agent (1)： 松下 義治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003110629
Publication number (International publication number)：2004319704
Application date： Apr. 15, 2003
Publication date： Nov. 11, 2004
Summary：

【課題】単位面積当たりのチヤネル幅を容易に増大させることができ、かつ論理回路部との1チップ混載化が容易である駆動用MOSトランジスタを用いた半導体装置を得る。【解決手段】半導体基板表面部に設けられた二つの離れたソース・ドレイン領域1間の前記基板表面部に高濃度領域を直線的に繋ぐチヤネル長方向に設けられた凹部6を複数本のチヤネル幅方向に形成され、前記ソース・ドレイン領域間の前記凹部を含む前記表面部に絶縁膜3を有し、前記絶縁膜上にゲート電極2を有している半導体装置。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体基板表面部に設けられた二つの離れたソース・ドレイン領域間の前記基板表面部に前記高濃度領域を直線的に繋ぐチャネル長方向に設けられた凹部を複数本のチャネル幅方向に形成され、前記ソース・ドレイン領域間の前記凹部を含む前記表面部に絶縁膜を有し、前記絶縁膜上にゲート電極を有している半導体装置。

IPC (3)：

H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

FI (2)：

H01L29/78 301V ,  H01L27/08 102B

F-Term (16)：

5F048AA08 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB19 ,  5F048BD06 ,  5F048BD10 ,  5F048BG12 ,  5F140AA01 ,  5F140AA05 ,  5F140AB01 ,  5F140AB03 ,  5F140AC26 ,  5F140BB05 ,  5F140BB06 ,  5F140BF43