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J-GLOBAL ID：200903084759161437
誘電体結晶膜の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993033890
Publication number (International publication number)：1994206787
Application date： Jan. 12, 1993
Publication date： Jul. 26, 1994
Summary：
【要約】【目的】 配向性の誘電体結晶膜を提供する。【構成】 水熱合成により基板上に誘電体結晶膜を形成する方法において、レイノルズ数が2000以下の条件で基板上に誘電体結晶膜を形成する配向性の誘電体結晶膜の製造方法に関する。
Claim (excerpt)：
水熱合成により基板上に誘電体結晶膜を形成する方法において、レイノルズ数が2000以下の条件で基板上に誘電体結晶膜を形成することを特徴とする配向性の誘電体結晶膜の製造方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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