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J-GLOBAL ID：200903084759268533

半導体装置及びその製造方法

Inventor： ティン-ピュウ エン ,  シアン-ウェン チェン
Applicant, Patent owner： パラダイム テクノロジー, インコーポレイテッド ,  日本鋼管株式会社
Agent (1)： 瀧野 秀雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993299886
Publication number (International publication number)：1995169965
Application date： Nov. 30, 1993
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体基板の上に電流伝達素子を有するトランジスタなどに適した半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 単結晶シリコン基板にゲート110を形成し、ゲート110にゲート絶縁膜114を形成して多結晶シリコン層118を形成してパターニングし、二酸化シリコン層122で覆って、LDDマスク層126をチャンネル領域の上に形成し、低濃度ドーピングを行い、次に、マスク158をドレイン領域のLDD部分の上に形成して、高濃度ドーピング後に、マスク158を除去して、LDD構造のMOSトランジスタを形成して少数のマスクをアライメントすることで、トランジスタのチャンネル長などの重要な寸法を画定する。

Claim (excerpt)：

半導体基板中またはその上にトランジスタのゲートを形成するステップと、ゲートを形成する前記ステップの後に、前記基板の上に半導体層を形成するステップと、前記半導体層に、第1の領域と前記第1の領域から離隔した第2の領域とを形成して、前記第1及び第2の領域の一方を前記トランジスタのソース領域とし、他方を前記トランジスタのドレイン領域とし、前記第1と第2の領域を分離するチャネル領域とするステップと、前記チャネル領域の上に第1のマスクを形成するステップと、前記第1の領域と第2の領域にドーパントを注入するステップと、前記第1の領域の前記チャネル領域に隣接する部分の上に、第2のマスクを形成するステップと、前記第2の領域にドーパントを注入するとともに、前記第1の領域の前記第1及び第2のマスクに覆われない部分にドーパントを注入するステップとを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/8244 ,  H01L 27/11

FI (4)：

H01L 29/78 311 P ,  H01L 27/08 321 G ,  H01L 27/10 381 ,  H01L 29/78 311 C