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J-GLOBAL ID:200903084780334775

帯電防止膜及び低屈折率低反射膜及び低反射帯電防止膜

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 泉名 謙治
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991267161
Publication number (International publication number):1993080204
Application date: Sep. 18, 1991
Publication date: Apr. 02, 1993
Summary:
【要約】【構成】SnO2:Sb粒子を分散させた液と、Ti(C5H7O2)n(OR)m(但しn+m=4,m=0〜3,n=1〜4,R=C1〜C4のアルキル基)を含む液とを混合した溶液を基体上に塗布した後、加熱して帯電防止膜を形成する。その上に、MgF2、珪素化合物、Zr化合物、Ti化合物、Al化合物、Sn化合物等を含む液を塗布した後、加熱して低屈折率膜を形成して低反射帯電防止膜を形成する。【効果】十分な帯電防止性能と低反射性能を有し、高耐久性も兼ねそなえた低反射帯電防止膜を実現できる。
Claim (excerpt):
Ti(C5H7O2)n(OR)m(但しn+m=4,m=0〜3,n=1〜4,R=C1〜C4のアルキル基)のうち少くとも1種、及びSbをドープしたSnO2粒子を含む溶液を基体上に塗布した後、加熱することにより得られた帯電防止膜。
IPC (2):
G02B 1/10 ,  H01J 9/20

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