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J-GLOBAL ID：200903084814480920

歪量子井戸半導体レーザ

Inventor： 佐川 みすず ,  魚見 和久 ,  平本 清久 ,  辻 伸二
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立電線株式会社
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992070598
Publication number (International publication number)：1993275800
Application date： Mar. 27, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】光通信システムにおける希土類添加光ファイバ増幅器の励起用光源として、高出力、高信頼性を有し、光ファイバと高効率で光結合する0.98μm帯半導体レーザを実現することを目的とする。【構成】GaAs基板上にInGaAs量子井戸活性層と、InGaPクラッド層、及び組成yが0.08以上0.55以下且厚みが0.15μm以下であるIn1-xGaxAsyP1-y光ガイド層により構成される。または、GaAs基板上にInGaAs量子井戸活性層と、組成tが0.1以下のIn1-sGasAstP1-tクラッド層、及び組成yが0.08またはクラッド層組成t以上0.55以下且厚み0.15μm以下であるIn1-xGaxAsyP1-y光ガイド層により構成される。【効果】本発明により、量子井戸層への光閉じ込め係数を減少させることなく遠視野像半値全幅を小さくすることができる。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上に少なくとも光を発生するInGaAs量子井戸層を有する活性層と光を閉じ込めるInGaPクラッド層及びIn1-xGaxAsyP1-y光ガイド層を有する波長0.9〜1.1μm帯半導体レーザ装置において、上記光ガイド層組成yが0.08以上0.55以下且厚みが0.15μm以下であることを特徴とする歪量子井戸半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭61-121052