Pat

J-GLOBAL ID：200903084820568189

超伝導体厚膜の燒結方法

Inventor： 田中 三郎 ,  糸▲ざき▼ 秀夫
Applicant, Patent owner： 株式会社超伝導センサ研究所
Agent (1)： 福田 武通 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994035188
Publication number (International publication number)：1995226540
Application date： Feb. 09, 1994
Publication date： Aug. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】 筒体の内周面および/または外周面に均一な厚さの超伝導体厚膜を燒結させる。【構成】 筒体の内周面および/または外周面に超伝導体材料を燒結させて超伝導体厚膜を形成する超伝導体厚膜の燒結方法であって、円筒1を水平状態に支持し、円筒1の内周面にコーティングした超伝導体材料ペースト層2が半溶融状態の間中円筒1を回転させる。

Claim (excerpt)：

筒体の内周面および/または外周面に超伝導体材料を燒結させて超伝導体厚膜を形成する超伝導体厚膜の燒結方法であって、前記筒体を水平状態に支持し、少なくとも前記超伝導体材料が半溶融状態の間中前記筒体を回転させる、ことを特徴とする超伝導厚膜の燒結方法。

IPC (2)：

H01L 39/00 ZAA ,  H05K 9/00 ZAA

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-192615
  
• 特開平2-107786
  
• 特開平1-270504