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J-GLOBAL ID：200903084822470640

希土類イオン・窒素添加酸化膜の製造方法及び光導波路の製造方法

Inventor： 中沢 正隆 ,  井本 克之
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社 ,  日本電信電話株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992272939
Publication number (International publication number)：1994123813
Application date： Oct. 12, 1992
Publication date： May. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高屈折率で透明度が良く、反りが少なく低損失で、高寸法精度且つ超小型で、低コストで製造でき、コア側面の荒れが少なく低損失な希土類イオン・窒素添加酸化膜の製造方法及び光導波路の製造方法を提供する。【構成】 基板1上にSiO2 の多孔質膜3を形成する工程と、この多孔質膜を希土類元素を含む溶液中に液浸してこの元素を上記多孔質膜中に所定濃度添加した後乾燥させる工程と、この多孔質膜をNH3 ガスを含む雰囲気下で加熱透明化する工程を有するようにした。

Claim (excerpt)：

基板上にSiO2 の多孔質膜を形成する工程と、該多孔質膜を希土類元素を含む溶液中に液浸して該元素を該多孔質膜中に所定濃度添加した後乾燥させる工程と、該多孔質膜をNH3 ガスを含む雰囲気下で加熱透明化する工程とを有することを特徴とする希土類イオン・窒素添加酸化膜の製造方法。

IPC (4)：

G02B 6/12 ,  C03B 20/00 ,  H01S 3/07 ,  H01S 3/10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-025083
  
• 特開平3-192206
  
• 特開昭63-249805
  
• 特開平3-109223