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J-GLOBAL ID：200903084827462637

基板の化学機械研磨方法

Inventor： 山田 勉 ,  久保 富美夫
Applicant, Patent owner： 株式会社岡本工作機械製作所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000149134
Publication number (International publication number)：2001332517
Application date： May. 22, 2000
Publication date： Nov. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】 スクラッチ傷のないCMP加工基板をスル-プット時間を短くして得る化学機械研磨方法の提供。【解決手段】 基板の金属膜面または絶縁膜面と、研磨パッド面との間に研磨液を介在させつつ、基板と研磨パッドを摺動させて基板表面の金属膜または絶縁膜の少なくとも一部を除去する化学機械研磨方法であって、前記化学機械研磨方法は、砥粒が固定された研磨パッドと遊離砥粒が含有された研磨液を用いる粗研磨工程と、該粗研磨工程の後で行われる砥粒が固定されていない研磨パッドを用いる仕上研磨工程の2つの研磨工程を経て行われ、仕上研磨工程の際に用いられる研磨液には、固形の潤滑剤粒子が含有されていることを特徴とする、基板の化学機械研磨方法。

Claim (excerpt)：

基板の金属膜面または絶縁膜面と、研磨パッド面との間に研磨液を介在させつつ、基板と研磨パッドを摺動させて基板表面の金属膜または絶縁膜の少なくとも一部を除去する化学機械研磨方法であって、前記化学機械研磨方法は、砥粒が固定された研磨パッドと遊離砥粒が含有された研磨液を用いる粗研磨工程と、該粗研磨工程の後で行われる砥粒が固定されていない研磨パッドを用いる仕上研磨工程の2つの研磨工程を経て行われ、仕上研磨工程の際に用いられる研磨液には、固形の潤滑剤粒子が含有されていることを特徴とする、基板の化学機械研磨方法。

IPC (8)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 621 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  C09K 13/00 ,  G11B 5/31

FI (10)：

H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 622 E ,  H01L 21/304 622 F ,  H01L 21/304 621 D ,  B24B 37/00 C ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  C09K 13/00 ,  G11B 5/31 M

F-Term (11)：

3C058AA09 ,  3C058BA02 ,  3C058BA09 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  5D033CA05 ,  5D033DA01 ,  5D033DA31