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J-GLOBAL ID：200903084838042877

金属微粒子堆積装置

Inventor： 宮田 雅弘 ,  福原 成太 ,  江澤 弘和 ,  渕田 英嗣 ,  賀集 誠一郎 ,  小日向 久治
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝 ,  真空冶金株式会社 ,  日本真空技術株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993071303
Publication number (International publication number)：1994280002
Application date： Mar. 30, 1993
Publication date： Oct. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】この発明は、半導体素子のパッド電極上に裾拡がりの生じない金属電極を形成する。【構成】先端近傍の側部に第1、第2の横穴12a,12b が設けられたノズル12をAlパッド電極14の上方に移動する。次に、Heガス17の雰囲気において、蒸発源を蒸発させることによりAu蒸気とし、このAu蒸気を一次凝集することにより、Au蒸気をAu微粒子16とする。次に、Au微粒子16をHeガス17と共にノズル12の先端から前記Alパッド電極14に吹き付ける。この際、Au微粒子16より軽いHeガス17の一部を第1、第2の横穴12a,12b から逃がし、Au微粒子16を慣性力により直進させる。これにより、前記Au微粒子16をAlパッド電極14上に堆積させる。この結果、前記Alパッド電極14の上にバンプ電極19を形成している。従って、半導体素子のパッド電極上に裾拡がりの生じない金属電極を形成できる。

Claim (excerpt)：

金属微粒子を発生させる蒸発源と、前記金属微粒子を搬送する不活性ガスを先端近傍で排出する排出手段を有するノズルと、を具備することを特徴とする金属微粒子堆積装置。

IPC (3)：

C23C 14/24 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/321

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特公昭63-054075
  
• 特開昭62-158805
  
• ガス・デポジション法による超微粒子膜の形成法およびその形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-208134   Applicant：真空冶金株式会社