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J-GLOBAL ID:200903084842746986
ポジ型フオトレジストパターンの形成方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
萩野 平 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995229236
Publication number (International publication number):1997073168
Application date: Sep. 06, 1995
Publication date: Mar. 18, 1997
Summary:
【要約】【課題】 現像ラチチュードが広く、0.5μmあるいはそれ以下の線幅から成る超微細パターンを安定して、しかも高感度かつ高解像度で得られる、超微細加工用ポジ型フオトレジストパターン形成方法を提供できる。【解決手段】 1,2-ナフトキノン-2-ジアジド-6-スルホン酸エステル化合物、アルカリ可溶性樹脂、分子量1000以下のフェノール化合物を含有する感光性組成物を基板上に塗布し、248nm光の照射によりパターン状に露光し、アルカリ現像液で現像するポジ型フオトレジストパターンの形成方法。
Claim (excerpt):
1,2-ナフトキノン-2-ジアジド-6-スルホン酸エステル化合物、アルカリ可溶性樹脂、及び分子量1000以下のフェノール化合物を含有する感光性組成物を基板上に塗布し、248nm光の照射によりパターン状に露光し、アルカリ現像液で現像することを特徴とするポジ型フオトレジストパターンの形成方法。
IPC (5):
G03F 7/022
, G03F 7/004 501
, G03F 7/20 505
, G03F 7/32
, H01L 21/027
FI (5):
G03F 7/022
, G03F 7/004 501
, G03F 7/20 505
, G03F 7/32
, H01L 21/30 569 F
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