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J-GLOBAL ID:200903084843833939

ポリシランの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 久保山 隆 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994263772
Publication number (International publication number):1996120083
Application date: Oct. 27, 1994
Publication date: May. 14, 1996
Summary:
【要約】 (修正有)【構成】一般式(1)および/または(2)(これらの式中、R1 およびR2 は炭素数1〜22のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリーロキシ基を示し、R1 およびR2 は同一でも互いに異なっていてもよく、R3 は炭素数1〜22の二官能性の有機基を示し、X1 およびX2 は塩素、臭素またはよう素原子を示す。a、bおよびmは1〜50の整数を示す。)で表されるジハロシランを一般式(3)(式中、R4 、R5 は炭素数1〜6のアルキル基、炭素数6〜30のアリール基を示し、Ar2 は炭素数6〜30のアリール基である。)で定義される芳香族第三級アミンを含有する溶媒中でアルカリ金属により縮重合反応させることを特徴とするポリシランの製造方法。【効果】光導電性材料、非線形光学材料または耐熱性に優れた非酸化物セラミックの前駆体物質等に有用なポリシランを高い収率で得ることができる。
Claim (excerpt):
一般式(1)および/または(2)【化1】【化2】(これらの式中、R1 およびR2 は炭素数1〜22のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、置換アリール基、アリーロキシ基または置換アリーロキシ基を示し、R1 およびR2 は同一でも互いに異なっていてもよく、R1 およびR2 の配列が特定の規則性をもっていてもよい。R3 は炭素数1〜22の二官能性の有機基を示し、X1 およびX2 は塩素、臭素またはよう素原子を示す。a、bおよびmは1〜50の整数を示す。)で表されるジハロシランを一般式(3)【化3】(式中、R4 、R5 は炭素数1〜6のアルキル基、炭素数6〜30のアリール基または置換アリール基を示し、Ar2 は炭素数6〜30のアリール基または置換アリール基である。)で定義される芳香族第三級アミンを含有する溶媒中でアルカリ金属により縮重合反応させることを特徴とするポリシランの製造方法。

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