Pat

J-GLOBAL ID：200903084853869818

電圧制御型発振回路

Inventor： 太斎 文博
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992281585
Publication number (International publication number)：1994132728
Application date： Oct. 20, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 MOS型集積回路にて実現される電圧制御型発振回路(VCO)において、制御電圧Vcが接地電圧Vssから電源電圧Vddまで広範囲に変化する場合においても、発振周波数の可変範囲をVCOの用途に応じて狭くするこが容易にでき、且つ低ジッタ化を実現する。【構成】 N型半導体基板(11)上に形成されたインバ-タ回路INVと、インバ-タ回路INVに対して、外付けされたコンデンサC1及びC2とコイルLとが接続されて構成される従来からの低ジッタの2端子型LC発振回路を用いて、N型半導体基板(11)上に形成されたMOSキャパシタCM1及びCM2を具備し、MOSキャパシタCM1のゲ-ト電極(15)はインバ-タ回路INVの入力に接続され、MOSキャパシタCM2のゲ-ト電極(15)はインバ-タ回路INVの出力に接続され、MOSキャパシタCM1及びCM2のウエル電極(13)は制御電圧印加端子FCに接続されて、MOSキャパシタCM1及びCM2のウエル層(12)の電位を制御電圧Vcにより制御設定したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

一導電型の半導体基板上に形成されたインバ-タ回路と、前記インバ-タ回路に対して、外付けされたコンデンサ及びコイルを接続して構成される2端子型LC発振回路を用いて構成される電圧制御型発振回路であって、前記一導電型半導体基板上に形成された逆導電型のウエル層と、前記逆導電型のウエル層表面に形成された逆導電型の拡散層からなるウエル電極と、前記逆導電型のウエル層上に形成されたゲ-ト酸化膜と、前記ゲ-ト酸化膜上に形成されたゲ-ト電極とからなる第1及び第2のMOSキャパシタを具備し、前記第1のMOSキャパシタのゲ-ト電極は前記インバ-タ回路の入力に接続され、前記第2のMOSキャパシタのゲ-ト電極は前記インバ-タ回路の出力に接続され、前記第1及び第2のMOSキャパシタのウエル電極は、その電圧を制御する電圧制御手段を接続して、前記ウエル層の電圧を制御設定し得るようにしたことを特徴とする電圧制御型発振回路。

IPC (2)：

H03B 5/12 ,  H01L 27/04