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J-GLOBAL ID：200903084854819482

超電導素子

Inventor： 池川 純夫 ,  石塚 芳樹 ,  三浦 忠男 ,  安藤 健
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991261516
Publication number (International publication number)：1993067815
Application date： Oct. 09, 1991
Publication date： Mar. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】 良好なジョセフソン特性が再現性よく得られると共に、そのような特性を有するジョセフソン接合を、基板上の任意の場所に、積層型でかつ単純な構成で実現することを可能にした超電導素子を提供する。【構成】 基板11上に、結晶のc軸が一定方向に揃った第1の超電導体層12を設ける。この第1の超電導体層12上に、結晶のc軸が第1の超電導体層12とは異なる方向に揃った第2の超電導体層13を積層形成する。超電導体層12、13としては、例えばc軸配向や斜め配向させた銅系酸化物超電導体膜が用いられる。第1の超電導体層12と第2の超電導体層13との界面14に、これらの結晶のc軸がなす角度Ψに応じた粒界ジョセフソン接合が形成される。

Claim (excerpt)：

基板上に設けられ、結晶のc軸が一定方向に揃った第1の超電導体層と、この第1の超電導体層上に積層形成され、結晶のc軸が該第1の超電導体層とは異なる方向に揃った第2の超電導体層とを具備することを特徴とする超電導素子。