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J-GLOBAL ID：200903084857462062

レジストパターン形成方法

Inventor： 遠藤 裕之
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996322523
Publication number (International publication number)：1998163093
Application date： Dec. 03, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】 解像限界をこえる微細パターンを形成することができるレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】 レジストパターン形成方法において、被加工基板11上にポジ型化学増幅レジストパターン12を形成する工程と、前記ポジ型化学増幅レジストパターン12の未露光部に反応触媒を生成する工程と、ネガ型化学増幅レジスト15の不溶化層16を形成する工程とを施すようにしたものである。

Claim (excerpt)：

(a)被加工基板上にポジ型化学増幅レジストパターンを形成する工程と、(b)前記ポジ型化学増幅レジストパターンの未露光部に反応触媒を生成する工程と、(c)ネガ型化学増幅レジストの不溶化層を形成する工程とを施すことを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/40 501

FI (5)：

H01L 21/30 569 F ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/40 501 ,  H01L 21/30 502 A