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J-GLOBAL ID：200903084863602550
フレア構造半導体レーザ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994153195
Publication number (International publication number)：1996023133
Application date： Jul. 05, 1994
Publication date： Jan. 23, 1996
Summary：
【要約】【目的】 ワットクラスの高出力レベルまで安定に横基本モードで動作し、しかも製造の歩留まりが高く、特性再現性の良好なフレア構造半導体レーザを提供する。【構成】 フレア構造半導体レーザにおいて、横モードの制御構造としてリッジ導波構造を採用するとともに、その外側領域で活性層をとぎらせる、ないし全て除去した放射モード抑制領域30を形成した。
Claim (excerpt)：
活性層幅が共振器方向に変化するフレア構造半導体レーザにおいて、活性導波路が横方向にリッジ導波構造となっており、かつ前記リッジ構造の活性導波路に沿って少なくともその外側の一部に活性導波路が除去された放射モード防止領域が形成されていることを特徴とするフレア構造半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
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