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J-GLOBAL ID:200903084867049520

金属ベース基板およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高田 守 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991240843
Publication number (International publication number):1993082930
Application date: Sep. 20, 1991
Publication date: Apr. 02, 1993
Summary:
【要約】【目的】 スルーホールの制約を受ける事なく自由に、高密度に導電体を形成することができる金属ベース基板を得ることができる。【構成】 金属ベース層20は、金属層1と接続ランド2で構成され、金属層1と接続ランド2は電気的に独立している。金属ベース層20の両面には、導電体層4と絶縁層3を設け、導電体層4は接続ランド2を介して電気的に接続している。
Claim (excerpt):
金属層およびこの金属層と電気的に独立した接続ランドで形成した金属ベース層、並びにこの金属ベース層の両面に設けた、所定領域に導電体層を配設した絶縁層を備え、上記導電体層が上記接続ランドを介して電気的に接続するようにした金属ベース基板。
IPC (3):
H05K 1/05 ,  H05K 1/11 ,  H05K 3/46

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