Pat
J-GLOBAL ID：200903084876765823

固体撮像装置およびその製造方法

Inventor：
栗山 俊寛

About 栗山 俊寛

, 
田中 晶二

About 田中 晶二


Applicant, Patent owner：
松下電子工業株式会社

About 松下電子工業株式会社


Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998235826
Publication number (International publication number)：2000012822
Application date： Aug. 21, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】 高感度のMOS型固体撮像素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板10内に形成された受光部13および検出部14aと、受光部13と検出部14aとの間の半導体基板10上に絶縁膜11を介して形成されたゲート電極12と、検出部14aと電気的に接続した読み出し回路とを含む画素が複数配置され、反射防止膜15aが、半導体基板10の上方に、検出部14aの少なくとも一部の上方を避け、受光部13の上方にあっては絶縁膜11を介して形成されている固体撮像装置とする。
Claim (excerpt)：
半導体基板内に形成された受光部および拡散領域と、前記受光部と前記拡散領域との間の前記半導体基板上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記受光部または前記拡散領域と電気的に接続した読み出し回路とを含む画素が複数配置された固体撮像装置であって、反射防止膜が、前記半導体基板の上方に、前記拡散領域の少なくとも一部の上方を避け、前記受光部の上方にあっては前記絶縁膜を介して形成されていることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2)：
H01L 27/146 ,  H04N 5/335
FI (2)：
H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 E
F-Term (22)：
4M118AA01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA18 ,  4M118CA34 ,  4M118DA20 ,  4M118DD04 ,  4M118DD06 ,  4M118EA06 ,  4M118EA07 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118FA42 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  4M118GB11 ,  5C024AA01 ,  5C024CA12 ,  5C024CA31 ,  5C024FA01 ,  5C024GA31
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (15)
  • 特開昭63-014466
  • 特開昭63-014466
  • 固体撮像装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-114208   Applicant：オリンパス光学工業株式会社
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM