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J-GLOBAL ID：200903084884170766
薄膜CdS層を備えた光電池
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
恩田 博宣
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1993512616
Publication number (International publication number)：1996500209
Application date： Jan. 13, 1993
Publication date： Jan. 09, 1996
Summary：
【要約】本発明の光電池は最初に充分に厚いCdS層によって形成され、CdS層の有効厚さは2工程アニーリング処理中に充分に低減され、CdTe層への拡散によってより大径のCdTe結晶を形成すると同時にCdS層の有効厚さを充分に低減し、520nm以下の波長を有する大部分の太陽光がCdS層を通過して光電接合に到達するようになっている。p型材は最初に不純物を酸化するために酸化環境において加熱処理され、p型材の所望の電気特性を充分に向上させる。そして、加熱処理済材は結晶寸法を大きくして光電効率を高めるためにほぼ不活性な環境において徐冷される。加熱処理中、p型材に沿って酸化勾配が維持される。各々がかなり異なった電気特性を有する2つの酸化スズ層からなる導電層を設けることによって個々の電池の短絡はほぼ最少化され、導電性酸化スズ層は複数の光電池を相互接続する。低導電率酸化スズ層の電子密度はCdTe層の予想される電子密度の関数として調節され、CdTe層及び酸化スズ層によってCdS層におけるいかなる欠陥の領域においてもエネルギー発生接合が形成される。
Claim (excerpt)：
各々共通の基板上に形成された複数の多結晶性光電池を備えた光電パネルを製造する方法において、 太陽光を導電層を介して光電接合へ伝播させて複数の光電池を電気的に相互接続するためのほぼ連続性の光透過導電層を形成し、 前記導電層に隣接した第1の有効厚さを有するほぼ連続性のn型半導体多結晶性層を形成し、 前記n型多結晶性層に隣接したほぼ連続性のp型半導体多結晶性層を形成し、 前記n型多結晶性層と隣接したp型多結晶性層とをp型多結晶性層内の結晶の寸法を大幅に大きくするほどの温度及び時間間隔をもって同時に加熱し、p型層への拡散によってn型層の有効厚さを、第1の有効厚さよりも薄い第2の有効厚さまで低減し、n型層のバンドギャップ以上のエネルギーを有する大部分の太陽光エネルギーがn型層の低減された第2の有効厚さを通過し、かつ光電接合によって吸収されるようにした光電パネルの製造方法。
FI (2)：
H01L 31/04 E
, H01L 31/04 A
