誘電膜、キャパシタ、その製造方法、半導体素子及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷照一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002235057
Publication number (International publication number)：2003163285
Application date： Aug. 12, 2002
Publication date： Jun. 06, 2003
Summary：

【要約】【課題】本発明は、充電容量を十分に確保しながら、膜内の不純物残留による漏れ電流特性及び誘電特性劣化を防止することに好適な誘電膜、キャパシタ、その製造方法、半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子は、半導体基板21と、この半導体基板上のアルミニウムが含まれた第1ゲート絶縁膜部22aと、この第1ゲート絶縁膜部上のリチウムが含まれた第2ゲート絶縁膜部22bと、この第2ゲート絶縁膜部上のゲート電極23とを含む。

Claim (excerpt)：

アルミニウムが含まれた第1誘電膜部と、この第1誘電膜部上のリチウムが含まれた第2誘電膜部とを含む誘電膜。

IPC (6)：

H01L 21/8242 , H01L 21/316 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 27/108 , H01L 29/78

FI (5)：

H01L 21/316 M , H01L 27/10 651 , H01L 27/10 621 C , H01L 29/78 301 G , H01L 27/04 C

F-Term (64)：

5F038AC05 , 5F038AC09 , 5F038AC10 , 5F038AC16 , 5F038AC17 , 5F038AC18 , 5F038DF05 , 5F038EZ20 , 5F058BA11 , 5F058BD01 , 5F058BD05 , 5F058BF04 , 5F058BF80 , 5F058BH03 , 5F058BJ04 , 5F083AD24 , 5F083AD49 , 5F083AD56 , 5F083AD62 , 5F083GA27 , 5F083JA02 , 5F083JA04 , 5F083JA05 , 5F083JA12 , 5F083JA14 , 5F083JA33 , 5F083JA35 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083PR15 , 5F083PR16 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR34 , 5F140AA19 , 5F140AA24 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD02 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BE01 , 5F140BE02 , 5F140BE03 , 5F140BE08 , 5F140BE10 , 5F140BE16 , 5F140BE17 , 5F140BE19 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF20 , 5F140BG28 , 5F140BG30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-271409 Applicant：シヤープ株式会社
半導体装置のキャパシタ及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-288307 Applicant：三星電子株式会社
特開昭57-045968

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