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J-GLOBAL ID:200903084894999866

ホウ素-炭素-窒素原子からなる三成分系ナノチューブおよびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002306229
Publication number (International publication number):2004142958
Application date: Oct. 21, 2002
Publication date: May. 20, 2004
Summary:
【課題】半導体特性を有しており、直線状で且つ配向性を有するホウ素-炭素-窒素原子からなる三成分系ナノチューブの製造方法を提供する。【解決手段】化学的気相成長法によって作製したカーボンナノチューブ、酸化ホウ素、酸化金および窒素を1500K以上2500K以下の温度で反応させる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
カーボンナノチューブ、酸化ホウ素、酸化金および窒素を1500K以上2500K以下の温度で反応させることを特徴とするホウ素-炭素-窒素原子からなる三成分系ナノチューブの製造方法。
IPC (1):
C01B31/02
FI (1):
C01B31/02 101F
F-Term (21):
4G146AA11 ,  4G146AA17 ,  4G146AA29 ,  4G146AD30 ,  4G146BA04 ,  4G146BA38 ,  4G146BA40 ,  4G146BC03 ,  4G146BC23 ,  4G146BC32A ,  4G146BC32B ,  4G146BC33A ,  4G146BC33B ,  4G146BC34A ,  4G146BC34B ,  4G146BC35A ,  4G146BC35B ,  4G146BC43 ,  4G146CA08 ,  4G146CA20 ,  4G146DA32
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
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    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平11-290378   Applicant:静岡日本電気株式会社

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