Pat
J-GLOBAL ID:200903084894999866
ホウ素-炭素-窒素原子からなる三成分系ナノチューブおよびその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002306229
Publication number (International publication number):2004142958
Application date: Oct. 21, 2002
Publication date: May. 20, 2004
Summary:
【課題】半導体特性を有しており、直線状で且つ配向性を有するホウ素-炭素-窒素原子からなる三成分系ナノチューブの製造方法を提供する。【解決手段】化学的気相成長法によって作製したカーボンナノチューブ、酸化ホウ素、酸化金および窒素を1500K以上2500K以下の温度で反応させる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
カーボンナノチューブ、酸化ホウ素、酸化金および窒素を1500K以上2500K以下の温度で反応させることを特徴とするホウ素-炭素-窒素原子からなる三成分系ナノチューブの製造方法。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (21):
4G146AA11
, 4G146AA17
, 4G146AA29
, 4G146AD30
, 4G146BA04
, 4G146BA38
, 4G146BA40
, 4G146BC03
, 4G146BC23
, 4G146BC32A
, 4G146BC32B
, 4G146BC33A
, 4G146BC33B
, 4G146BC34A
, 4G146BC34B
, 4G146BC35A
, 4G146BC35B
, 4G146BC43
, 4G146CA08
, 4G146CA20
, 4G146DA32
Return to Previous Page