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J-GLOBAL ID：200903084903856275
ウエーファーの形の半導体基質を無接触的に処理する方法および装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小田島 平吉 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998505093
Publication number (International publication number)：1999514154
Application date： Jul. 08, 1997
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：
【要約】本発明方法における処理は半導体基質を加熱することから成っている。この目的のためには収納装置の二つの側方部分の間に半導体基質を置き、ガス流を導入してこの二つの側方部分の間で半導体基質を浮遊状態に保つ。該側方部分の少なくとも一つにより基質を加熱すると特に有効なことが見出された。本発明方法および装置を使用し、ガス流の一つを処理用のガスとして機能させることができ、特に比較的低温にある一つの側方部分から半導体基質へと処理用にガスを供給し、同時に半導体基質の他の側は相対する側にある他の側方部分から生じる比較的高温を受けさせるようにすることもできる。
Claim (excerpt)：
半導体基質を少なくとも部分的に収納する装置の中に該半導体基質を入れ、互いに相対して配置された第1および第2の側方部分から半導体基質の二つの相対する側へと二つのガス流を反対方向へ流す半導体基質を無接触的に処理する方法において、該第1および第2の側方部分の各々と半導体基質との間の間隔を最大2mmに設定し、該側方部分の少なくとも一つを200°Cより高い温度に加熱することを特徴とする方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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