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J-GLOBAL ID：200903084907790872

半導体装置

Inventor： 秋月 伸也 ,  中村 吉伸 ,  ▲吉▼田 司
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社 ,  第一工業製薬株式会社
Agent (1)： 西藤 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991138259
Publication number (International publication number)：1994069380
Application date： May. 13, 1991
Publication date： Mar. 11, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 熱サイクルテストで評価される各特性の向上および半田溶融液浸漬時の耐クラツク性に優れた半導体装置の提供。【構成】 下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止する。(A)例えばのエポキシ樹脂。(B)例えばのフェノール樹脂。〔式中、nは0〜300の整数〕(C)無機質充填剤。

Claim (excerpt)：

下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)下記の(イ)および(ロ)の少なくとも一方。(イ)下記の一般式(1)および(2)で表されるエポキシ樹脂の少なくとも一方。【化1】【化2】(ロ)上記(イ)以外のエポキシ樹脂。(B)下記の(ハ)および(ニ)の少なくとも一方〔ただし、(A)成分が上記(ロ)のみからなるときには、(B)成分は少なくとも(ハ)からなる〕。(ハ)下記の一般式(3)および(4)で表されるフエノール樹脂の少なくとも一方。【化3】【化4】(ニ)上記(ハ)以外のフエノール樹脂。(C)無機質充填剤。

IPC (4)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08G 59/32 NHQ ,  C08G 59/62 NJS