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J-GLOBAL ID：200903084916410926

プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置

Inventor： 鈴木 伸昌
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 近島 一夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996207435
Publication number (International publication number)：1998050675
Application date： Aug. 06, 1996
Publication date： Feb. 20, 1998
Summary：

【要約】【課題】 高速エッチングが可能なプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供する。【解決手段】 絶縁体基板102をエッチングするためのエッチング室101の周囲に無終端環状導波管109を配すると共に無終端環状導波管109に複数の開口部を形成する。そして、この複数の開口部からエッチング室101へ供給されるマイクロ波にて発生する高密度、大面積かつ均一なプラズマによりレジストパターンが形成された絶縁体基板102の表面をエッチングし、レジストパターンに沿って所定の幅と深さを有する溝を高速に形成する。

Claim (excerpt)：

レジストパターンが形成された絶縁体基板表面をプラズマを用いてエッチングし、前記レジストパターンに沿って所定の幅と深さを有する溝を形成するプラズマエッチング方法において、前記絶縁体基板をエッチングするためのエッチング室の周囲に無終端環状導波管を配すると共に前記無終端環状導波管に複数の開口部を形成する一方、前記複数の開口部から前記エッチング室へ供給されるマイクロ波にて発生する高密度、大面積かつ均一なプラズマにより前記エッチングを行うことを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  G03F 7/40 521

FI (4)：

H01L 21/302 A ,  C23F 4/00 D ,  C23F 4/00 G ,  G03F 7/40 521